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       IGBT模块的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道  ，给PNP（原来为NPN）晶体管提供基极电流  ，使IGBT导通 。反之  ，加反向门极电压消除沟道  ，切断基极电流  ，使IGBT关断 。驱动方法和MOSFET基本相同  ，只要控制输入极N-沟道MOSFET  ，所以具有高输入阻抗特性 。当MOSFET的沟道形成后  ，从P+基极注入到N-层的空穴（少子）  ，对N-层进行电导调制  ，减小N-层的电阻  ，使IGBT模块在高电压时  ，也具有低的通态电压 。