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IGBT电镀模块工作原理
（1）方法
        IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化 。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道  ，而这个通道却具有高的电阻率  ，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征  ，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点 。虽然功率MOSFET器件大幅度改进了RDS（on）特性  ，但是在高电平时  ，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多 。较低的压降  ，转换成一个低VCE（sat）的能力  ，以及IGBT的结构  ，同一个标准双极器件相比  ，可支持更高电流密度  ，并简化IGBT驱动器的原理图 。